IXKR25N80C

IXYS

IXKR25N80C

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 18A, 10V
Basis-TeilenummerIXKR25
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs355 nC @ 10 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseISOPLUS247™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)