IXKN45N80C

IXYS

IXKN45N80C

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 44A, 10V
Basis-TeilenummerIXKN45
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs360 nC @ 10 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
Max. Verlustleistung380W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)