IXKN40N60C

IXYS

IXKN40N60C

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerIXKN40
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung290W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)