IXKC15N60C5

IXYS

IXKC15N60C5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

ObsoletISOPLUS220™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 100 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 900µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOPLUS220™
Hersteller-GehäuseISOPLUS220™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)