IXKC13N80C

IXYS

IXKC13N80C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

ObsoletISOPLUS220™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 9A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOPLUS220™
Hersteller-GehäuseISOPLUS220™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)