IXFX48N50Q

IXYS

IXFX48N50Q

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3

AbgekündigtTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusNot For New Designs
SerieHiPerFET™, Q Class
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Max. Verlustleistung500W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäusePLUS247™-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)