IXFX30N110P

IXYS

IXFX30N110P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHiPerFET™, Polar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung960W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäusePLUS247™-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)