IXFX26N100P

IXYS

IXFX26N100P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11900 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHiPerFET™, Polar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)
Max. Verlustleistung780W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäusePLUS247™-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)