IXFV12N90PS

IXYS

IXFV12N90PS

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS-220SMD

ObsoletPLUS-220SMDAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3080 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™, PolarP2™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung380W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CasePLUS-220SMD
Hersteller-GehäusePLUS-220SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)