IXFV110N10PS

IXYS

IXFV110N10PS

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220SMD

ObsoletPLUS-220SMDAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3550 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePolarHT™ HiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Max. Verlustleistung480W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CasePLUS-220SMD
Hersteller-GehäusePLUS-220SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)