IXFR80N10Q

IXYS

IXFR80N10Q

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 76A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4500 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Max. Verlustleistung310W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseISOPLUS247™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)