IXFR55N50

IXYS

IXFR55N50

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 27.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Max. Verlustleistung400W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseISOPLUS247™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)