IXFR24N100Q3

IXYS

IXFR24N100Q3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs490mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7200 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
SerieHiPerFET™, Q3 Class
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Max. Verlustleistung500W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseISOPLUS247™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)