IXFR150N15

IXYS

IXFR150N15

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9100 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C105A (Tc)
Max. Verlustleistung400W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseISOPLUS247™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)