IXFP50N20X3

IXYS

IXFP50N20X3

Analog & Leistungselektronik

DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
SerieHiPerFET™, Ultra X3
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung240W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3 (IXFP)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)