Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2440 pF @ 25 V |
| Hersteller | IXYS |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X3 |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 300 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 34W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220 Isolated Tab |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
|---|