IXFP34N65X3

IXYS

IXFP34N65X3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 34A 650V X3 TO220

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 17A, 10V
Basis-TeilenummerIXFP34
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2025 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHiPerFET™, Ultra X3
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5.2V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
Max. Verlustleistung446W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3 (IXFP)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)