IXFN36N110P

IXYS

IXFN36N110P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

ObsoletSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™, Polar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Max. Verlustleistung1000W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)