IXFN32N120

IXYS

IXFN32N120

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

AbgekündigtSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerIXFN32
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15900 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B