IXFN26N90

IXYS

IXFN26N90

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

AbgekündigtSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10800 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)
Max. Verlustleistung600W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)