IXFN200N10P

IXYS

IXFN200N10P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieHiPerFET™, Polar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Max. Verlustleistung680W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)