IXFH10N100P

IXYS

IXFH10N100P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3030 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHiPerFET™, Polar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung380W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AD (IXFH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)