IXFF24N100

IXYS

IXFF24N100

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 22A I4PAC

Obsoleti4-Pac™-5 (3 Leads)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerIXFF24
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Casei4-Pac™-5 (3 Leads)
Hersteller-GehäuseISOPLUS i4-PAC™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)