IXFB100N50P

IXYS

IXFB100N50P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264

AktivTO-264-3, TO-264AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHiPerFET™, Polar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung1890W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Hersteller-GehäusePLUS264™