Allgemein
| Gate Charge | 335 nC |
|---|---|
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | IXYS |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.9 µs |
| Serie | BIMOSFET™ |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 55A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 86 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| Power - Max | 357 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
| Hersteller-Gehäuse | ISOPLUS i4-PAC™ |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|