IXDN602SI

IXYS Integrated Circuits Division

IXDN602SI

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIXDN602
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerIXYS Integrated Circuits Division
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)7.5ns, 6.5ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)2A, 2A
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 3V
Versorgungsspannung4.5V ~ 35V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-SOIC-EP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)