GWM160-0055P3

IXYS

GWM160-0055P3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 6N-CH 55V 160A ISOPLUS

Obsolet17-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 100A, 10V
Basis-TeilenummerGWM160
Konfiguration6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case17-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseISOPLUS-DIL™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)