GMM3X60-015X2-SMDSAM

IXYS

GMM3X60-015X2-SMDSAM

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 6N-CH 150V 50A ISOPLUS

AktivISOPLUS-DIL™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V
Basis-TeilenummerGMM3X60
Konfiguration6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs97nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5800pF @ 25V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOPLUS-DIL™
Hersteller-GehäuseISOPLUS-DIL™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)