FMM60-02TF

IXYS

FMM60-02TF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

Aktivi4-Pac™-5Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerFMM60
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700pF @ 25V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A
Power - Max125W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Casei4-Pac™-5
Hersteller-GehäuseISOPLUS i4-PAC™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)