FII30-12E

IXYS

FII30-12E

Analog & Leistungselektronik

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

Obsoleti4-Pac™-5Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFII30
KonfigurationHalf Bridge
IGBT TypeNPT
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce1.2 nF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
NTC ThermistorNo
Product StatusObsolete
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 20A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Current - Collector Cutoff (Max)200 µA
Power - Max150 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Casei4-Pac™-5
Hersteller-GehäuseISOPLUS i4-PAC™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)