Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
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| Basis-Teilenummer | FDM100 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Hersteller | IXYS |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain-Source-Spannung | 55 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Gehäuse | Tube |
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| Package / Case | i4-Pac™-5 |
| Hersteller-Gehäuse | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
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