Allgemein
| Basis-Teilenummer | DCG45 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Hersteller | IXYS |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 22A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Hersteller-Gehäuse | SOT-227B |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
|---|