IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MH

Aktiv24-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit40ns

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatPSRAM
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization2M x 4

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case24-TBGA
Hersteller-Gehäuse24-TFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)