IS66WVO16M8DALL-200BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVO16M8DALL-200BLI

Datenblatt

Speicher & Storage

IC PSRAM 128MBIT SPI/OCT 24TFBGA

Aktiv24-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Basis-TeilenummerIS66WVO16M8
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit40ns

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatPSRAM
Memory InterfaceSPI - Octal I/O
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case24-TBGA
Hersteller-Gehäuse24-TFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)