IS66WVH8M8DALL-200B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVH8M8DALL-200B1LI

Datenblatt

Speicher & Storage

64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200

Aktiv24-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Zugriffszeit35 ns
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit35ns

Elektrisch

Speichergröße64Mbit
SpeicherformatPSRAM
Memory InterfaceHyperBus
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization8M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case24-TBGA
Hersteller-Gehäuse24-TFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)