IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

Aktiv48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-TeilenummerIS61WV51216
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.4V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-TFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)