Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 10ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV25616FALL-10BLI-TR
DatenblattSpeicher & Storage
4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 1.65V ~ 2.2V |
| Memory Organization | 256K x 16 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 48-TFBGA (6x8) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|