IS61WV25616EDALL-20BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDALL-20BLI-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

Aktiv48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit20 ns
Basis-TeilenummerIS61WV25616
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit20ns

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.65V ~ 2.2V
Memory Organization256K x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-TFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)