Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 8 ns |
| Basis-Teilenummer | IS61WV12824 |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 8ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 8 ns |
| Basis-Teilenummer | IS61WV12824 |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 8ns |
| Speichergröße | 3Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 3.135V ~ 3.465V |
| Memory Organization | 128K x 24 |
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 119-BBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 119-PBGA (14x22) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|