IS61LPS25636A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200B3LI

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit3.1 ns
Basis-TeilenummerIS61LPS25636
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization256K x 36

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-TFBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)