IS61LF25636B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF25636B-7.5TQLI

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP

Aktiv100-LQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit7.5 ns
Basis-TeilenummerIS61LF25636
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz117 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization256K x 36

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case100-LQFP
Hersteller-Gehäuse100-LQFP (14x20)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)