ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Basis-Teilenummer | IS46TR85120 |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
| Speichergröße | 4Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.283V ~ 1.45V |
| Memory Organization | 512M x 8 |
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 78-TWBGA (8x10.5) |
| Betriebstemperatur | -40°C~105°C(TC) |
|---|