Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 18ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200VFBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
| Speichergröße | 4Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1.6 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
| Package / Case | 200-VFBGA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 200-VFBGA (10x14.5) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |