Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46LQ16256AL-062BLA1
DatenblattSpeicher & Storage
Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1.6 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 256M x 16 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 200-WFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 200-VFBGA (10x14.5) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|