IS46DR16640C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640C-3DBLA1

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

Aktiv84-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit450 ps
Basis-TeilenummerIS46DR16640
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization64M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case84-TFBGA
Hersteller-Gehäuse84-TWBGA (8x12.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)