ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Basis-Teilenummer | IS43TR16640 |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
| Speichergröße | 1Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.283V ~ 1.45V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 96-TWBGA (9x13) |
| Betriebstemperatur | 0°C~95°C(TC) |
|---|