Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tray |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tray |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
| Speichergröße | 2Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 1.066 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 128M x 16 |
| Package / Case | 96-TFBGA |
|---|
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |