IS43TR16128D-093NBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128D-093NBLI

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA

Aktiv96-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR3
Zugriffszeit20 ns
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
VerpackungTray
TeilestatusAktiv
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz1.066 GHz
Versorgungsspannung1.425V ~ 1.575V
Memory Organization128M x 16

Mechanisch

Package / Case96-TFBGA

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
QualificationAEC-Q100