Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
| Speichergröße | 256Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | LVCMOS |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 8M x 32 |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 90-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 90-TFBGA (8x13) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|