ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Basis-Teilenummer | IS43LR32160 |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 12ns |
| Speichergröße | 512Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 16M x 32 |
| Package / Case | 90-TFBGA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 90-TFBGA (8x13) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|