Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Zugriffszeit | 3.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 18ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LQ32640A-062TBLI
DatenblattSpeicher & Storage
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 2Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1.6 GHz |
| Versorgungsspannung | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 64M x 32 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 200-TFBGA (10x14.5) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|